碳纖維增強碳化硅(C／SiC)陶瓷基復(fù)合材料(CMC)，實現(xiàn)了碳化硅陶瓷基體代替碳基體，因其具有良好的抗氧化性、高溫抗熱震性、導(dǎo)熱性以及與碳纖維良好的相容性，己成為航空、航天領(lǐng)域極具發(fā)展前景的新一代高溫?zé)峤Y(jié)構(gòu)材料。目前已有不同制備C／SiC陶瓷基復(fù)合材料的方法，如熱壓法( HP)、化學(xué)氣相滲透法（ CVI）、液態(tài)滲硅法(LSI)、先驅(qū)體轉(zhuǎn)化法(PIP)等。其中多數(shù)方法不能實現(xiàn)陶瓷基復(fù)合材料應(yīng)用的低成本要求。采用液態(tài)滲硅法（ LSI)技術(shù)，是一種成本低廉、具有三階段簡單工藝特點的制備方法。該工藝開始于碳纖維增強聚合物(CFRP)坯體制備，其后是高溫碳化得到孔隙結(jié)構(gòu)的碳／碳復(fù)合材料。最后液態(tài)滲硅得到C／G SiC復(fù)合材料。其優(yōu)點是避免了重復(fù)浸滲，從而縮短了工藝時間：采用無需任何涂層的纖維預(yù)制體減少了原材料成本；另外，可在近尺寸技術(shù)下制備CMC構(gòu)件，最大程度地降低機加工難度。

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